TN0200K-T1-E3参数：MOSFET N-CH 20V 730MA SOT23-3
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：3,000系列：TrenchFET®包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源极电压 (Vdss)：20V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：730mA不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：400 毫欧 @ 600mA，4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 50µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：2nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-功率 - 最大值：350mW安装类型：表面贴装封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）
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